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鎵標(biāo)準(zhǔn)儲備液

型號：100ml
價格：120

北京華科盛精細化工產(chǎn)品貿(mào)易有限公司生產(chǎn)銷售鎵標(biāo)準(zhǔn)儲備液：鎵是一種無機化合物，化學(xué)式為Ga2O3。別名三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導(dǎo)體，Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測器。

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北京華科盛精細化工產(chǎn)品貿(mào)易有限公司生產(chǎn)銷售鎵標(biāo)準(zhǔn)儲備液：

物理性質(zhì)

白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點1900℃(在600℃時轉(zhuǎn)化為β型)。

易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機酸。

有α，β兩種變體。α型為白色菱形六面體。

物性數(shù)據(jù)：

性狀：α-Ga2O3為六方晶型，β-Ga2O3屬于單斜晶型。

熔點（oC）：1740

溶解性：不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。

制備

1.向三氯化鎵GaCl3的熱水溶液中加NaHCO3的高濃熱水溶液，煮沸到鎵的氫氧化物全部沉淀出來為止。用熱水洗滌沉淀至沒有Cl-為止，在600℃以上煅燒則得到β-Ga2O3。殘留NH4Cl時，在250℃就和Ga2O3反應(yīng)，生成揮發(fā)性GaCl3。

2.這是高純Ga2O3的制法。以高純金屬Ga為陽極，溶解于5%～20%H2SO4溶液里，向溶液加氨水，冷卻，將Ga(NH4)(SO4)2反復(fù)結(jié)晶，在105℃干燥，在過量氧的條件下在800℃灼燒2h，則得到純度為99.99%～99.9999%的產(chǎn)品。

3.稱取1kg99.9999%的高純鎵放入三頸燒瓶中，加入高純硝酸，使鎵全部溶解，然后過濾，濾液倒入三頸燒瓶中，移至電爐上蒸發(fā)（在通風(fēng)櫥中進行），濃縮到接近結(jié)晶時，將溶液移置于大號蒸發(fā)皿中蒸發(fā)至干。將蒸干的Ga（NO3）3放在馬弗爐中進行灼燒，溫度控制在550℃，灼燒5h，待冷卻后取出成品，得1.2kg高純氧化鎵。

[1]

實驗

氧化鎵納米結(jié)構(gòu)的合成是在管式高溫擴散爐中進行．首先是將硅片(基底)鍍金，鍍金之前先將硅片依次用丙酮、乙醇和去離子水進行超聲水洗，然后放置在烘箱中烘干，最后利用磁控濺射儀濺射沉積厚度約為20nm的金薄膜即可．實驗原材料是氧化鎵粉末，和碳粉按照 1:2的質(zhì)量比混合，放置在石英舟中，在距混合粉末1.5cm左右處擺放鍍金的硅片，根據(jù)氮氣流的方向，以混合粉末在石英舟上游，硅片在下游的順序?qū)⑹⒅劬徛七M高溫擴散爐的的石英管的中心．設(shè)定加熱程序，將擴散爐加熱到1300℃并保溫60min，然后取出自然冷卻到室溫，可以看到硅片上有大量的白色絮狀物。最后將所得的樣品用SEM、TEM、XRD 等進行表征。鎵標(biāo)準(zhǔn)儲備液

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